金善明表示，在硅片端，保利協(xié)鑫從2011年就開始探索金剛線切片機(jī)改造，目前保利協(xié)鑫旗下所有設(shè)備已完成金剛線切技改。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，改造機(jī)比專機(jī)裝載量高20%，切片良率略高于專機(jī)，切片成本與專用機(jī)相比無明顯差異，而改造成本僅為購買專機(jī)的1/10左右。但金剛線切多晶片存在絨面問題，保利協(xié)鑫濕法黑硅技術(shù)的量產(chǎn)完美解決了這一難題。
在報(bào)告中，金善明著重介紹了保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片。他指出，“TS+”第二代黑硅片開創(chuàng)性地采用了“正面制絨”+“背面拋光”的獨(dú)特工藝，正面優(yōu)質(zhì)的表面陷光結(jié)構(gòu)與背面高亮的平整表面相結(jié)合，PERC工藝中背拋簡單，大大降低其背拋光成本和壓力。
實(shí)測顯示，“TS+”第二代黑硅片設(shè)備產(chǎn)能增加一倍，制絨成本降低約30%，以接近傳統(tǒng)制絨的成本獲取黑硅高轉(zhuǎn)化效率，電池效率增益將提升至0.5%。多晶黑硅疊加PERC技術(shù)后，效率比普通多晶單純使用黑硅或PERC之和仍高出0.24%左右，實(shí)現(xiàn)了“1+1＞2”的效果，為行業(yè)帶來更高性價(jià)比的產(chǎn)品。經(jīng)實(shí)測，應(yīng)用“TS+”第二代黑硅技術(shù)的組件CTM（封裝損失）可以達(dá)到99%以上，組件功率增益將提升至5W（60片），未來“金剛線+黑硅+PERC”技術(shù)將成為300W+多晶組件的標(biāo)配。
金善明同時(shí)表示，保利協(xié)鑫儲備多年的鑄錠單晶技術(shù)將迎來市場化，繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對市場有重大影響的差異化產(chǎn)品，而且將在性價(jià)比方面具有較強(qiáng)的競爭力。保利協(xié)鑫會將一部分鑄錠多晶轉(zhuǎn)成鑄錠單晶，其余通過自產(chǎn)黑硅及與電池客戶配套黑硅制絨，預(yù)計(jì)2019年“多晶金剛線切+黑硅+PERC”占比將超過80%，成為高效多晶產(chǎn)品的主流。
